固態硬碟決定電腦的什麼效能（固態硬碟的好壞對電腦有什麼影響）

之前咱們聊了固態硬碟不同顆粒的問題，也闡明瞭不同的顆粒雖然擦寫次數壽命各有不同，但正常使用下其實即便最差的QLC顆粒也能讓你使用好幾年。而真正的不同還是在於效能上，那具體不同在哪呢？

首先咱們現在可以發現很多旗艦固態硬碟，比如PCIE4.0協議的固態硬碟，讀寫速度往往可以超過5000MB/s,但這個速度一般指的是緩外速度，這是什麼意思呢？

咱們往固態硬碟拷貝大體積資料的時候，你會發現往往前面速度很快，但拷貝到一定數量的資料之後，就會發生掉速現象，掉速之前的速度，叫做緩內速度，而掉速之後的速度，叫做緩外速度，那這個“緩”指的是什麼呢？先給答案:“模擬SLC快取”，它到底是什麼呢？

上期咱們也說過，目前主流的旗艦固態硬碟絕大多數都採用TLC（三層儲存單元）顆粒，而TLC在相比於SLC（單層儲存單元），雖然可以提供更大的空間，但損失的可不止是擦寫次數壽命，還有速度。那TLC顆粒可以達到5000MB/s的速度麼？顯然是不行，那這是如何辦到的呢？

這就要提到模擬SLC快取技術了，顧名思義，它是把TCL顆粒模擬成SLC顆粒的一種技術，當模擬後，硬碟的讀寫速度就會有大幅提示，但不能一直模擬，因為當TLC顆粒模擬成SLC顆粒的時候，可用空間將會大大減少，等於說TLC模擬到SLC是拿空間換速度，所以當拷貝完成時，硬碟自己會慢慢將資料騰到非模擬區域，這也就是它為什麼叫“模擬”“快取”的原因。

當然模擬SLC快取也各有不同，相對高階的硬碟硬碟一般採用的是全盤模擬SLC快取演算法，也就是整塊硬碟都可以去進行模擬，對於TLC顆粒的硬碟，理論上所剩空間的三分之一，都可作為模擬SLC快取空間，為什麼是三分之一呢，因為TCL為3bit/cell，SLC為1bit/cell。

而中低端的固態硬碟往往採用的是固定區域模擬SLC快取，一般在十多個G。當然不論哪種方式，你都會面臨掉速問題，所以掉速的原因往往是因為模擬SLC快取被寫滿。當硬碟處於緩外速度下時，這才是硬碟本身的真實速度。而在硬碟被寫滿時，模擬SLC快取將全部釋放為非模擬狀態，這也是為什麼很多人認為硬碟快寫滿的時候整體速度會變慢的原因。

而對於模擬SLC快取的缺點其實也很明顯，就是寫入放大問題。那什麼是寫入放大呢？聰明的小夥伴估計已經猜到了，既然把TLC顆粒模擬成了SLC，又已知TLC為3bit/cell、SLC為1bit/cell，那麼往固態硬碟裡寫資料的時候，對於TLC顆粒，實際上是減少了3倍的擦寫次數，如果一塊TLC的固態硬碟顆粒的理論擦寫次數為600次，通過模擬SLC快取技術之後，那實際上也就可能只有200次的實際擦寫次數，這就叫做寫入放大。

當然這也只是針對於全盤模擬SLC快取演算法的固態硬碟而言，固定區域模擬SLC快取的硬碟並沒有那麼誇張，但上一篇咱們也說了，即便只有200TBW，只要硬碟空間足夠大，當做系統盤的問題也不大。而且好在更差的採用QLC顆粒的固態硬碟，很少有采用全盤模擬SLC快取演算法的。

但話說回來，QLC顆粒為4bit/cell，這代表著它的寫入放大問題會更嚴重，並且在效能表現上，它的掉速會來的更早。

除了模擬SLC快取，其實影響固態硬碟速度因素還有很多，比如咱們一直所說的顆粒型別，SLC最快，QLC最慢，當然同樣的顆粒型別，素質也不同，所以有快有慢。再比如說硬碟的容量，同型號的固態硬碟你會發現往往容量越大速度越快，但這不是絕對的，這是因為同型號的固態硬碟，容量越大，快閃記憶體CE引腳在一定程度上就越多，而CE引腳就可以簡單的理解為是顆粒的通訊通道，引腳越多，理論讀寫速度在一定程度內就越快。

最後就是顆粒的數量，有的低端固態硬碟就是單獨的顆粒，有的高階的固態硬碟上有好幾顆，而多顆粒的固態硬碟實際內部是組了個磁碟陣列，速度就會快很多。

但作為硬碟，尤其是作為系統盤，小檔案的4K讀寫更重要，系統執行的快不快，在硬碟這主要看的就是4K效能，而4K效能除了相關上述內容外，還得看固態硬碟的獨立快取，有無獨立快取晶片決定著4K效能的高低，並不是所有固態硬碟都有獨立快取，目前中低端的很多已經採用無獨立快取方案了，而高階硬碟還都是具備的。但是按照目前固態硬碟的發展來看，隨之技術的提升，無獨立快取將是未來的趨勢。

固態硬碟效能方面介紹完了，下期就是最後一個問題，固態硬碟對於資料儲存的安全性。